РЕФЕРАТЫ ПО РАДИОЭЛЕКТРОНИКЕРеферат: Расчетно-Графическая работа ППД КД213АМинистерство высшего образования РФ. Уральский государственный университет – УПИ Кафедра “Технология и средства связи” Расчетно-графическая работа Полупроводниковый диод «КД213А» Преподаватель: Болтаев А.В. Студент: Черепанов К.А. Группа: Р- 207 Екатеринбург 2000 Аннотация В данной работе в табличной форме приводятся паспортные параметры (электрические и предельные эксплуатационные) полупроводникового диода КД213А, семейство вольт-амперных характеристик (ВАХ) при различных температурах, расчетные соотношения R=, r~, C; расчитываются TKUпр, TKIобр (температурные коэффициенты), rб (сопротивление базы). Приводится малосигнальная, высокочастотная эквивалентная схема исследуемого диода. Содержание 1. Краткая характеристика диода 4 2. Паспортные параметры: 4 1. Электрические 4 2. Предельные эксплуатационные 4 3. Вольт-амперная характеристика 5 1. При комнатной температуре 5 2. При повышенной 6 4. Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С 6 5. Определение величины TKUпрям TKIобр 6 6. Определение сопротивления базы rб 9 1. Приближенное 9 2. Точное 9 7. Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема 10 8. Библиографический список 10 9. Затраты времени на: 10 1. Информационный поиск 10 2. Расчеты 10 3. Оформление 10 Краткая характеристика диода Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов приводятся на корпусе. Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса. Масса диода не более 4 г. КД213А[1] Рисунок 1 Паспортные параметры: Электрические Постоянное прямое напряжение при Iпр=10А, не более: Т=+25°С…...1В Постоянный обратный ток при, не более: Т=+25°С…...0,2мА Время обратного восстановления при Uобр=20В, и Iпр, и=1А, и Iобр, и=0,1А: КД213А...…300нс Емкость диода, не более: при Uобр=100 В…...550 пФ при Uобр=5 В….....1600 пФ Предельные эксплуатационные Постоянное (импульсное) обратное напряжение..…200В Постоянный (средний) прямой ток при RТ(П-С)? 1,5°С/Вт ..…..…10А Импульсный прямой ток при tи? 10мс, Q?1000...100А Импульсный обратный ток при температуре корпуса от 213 до 358 К при tи? 20мкс,.....10А Частота без снижения электрических режимов…100кГц Тепловое сопротивление переход-среда: .70К/Вт переход-корпус: .…1,5К/Вт Температура перехода: ...+140°С Температура окружающей среды: ….-60°С…+85°С Общая таблица параметров Предельные значения Tk Значения параметров при Т= 25?С R т параметров при Т=25?С max п-к (Tп , мах ?С/ ) Вт [Тм ах] ?С I UобUобIпр fма Uпр tвос, I пр, р, р г х, (Uпр обр обр(I ср и, мах(Iп кГц , (tвос обр, max п , Вр, ср) , обр ср) [I мах уд) [Uпр при обр, А , В мах , Tп и, п, , А и], мах), при Т В мкс п мах], мА Т?С tи( Iпр IпUпр tпр (Iпр р,, ), , и,и, мс ср) А В [Iпр , и], А 10 85 20020010010 1001401 10 0,3 1 20 0,2 1,5 Вольт-амперная характеристика При комнатной температуре При повышенной Расчетные соотношения, таблицы и графики зависимостей для Т=25°С Зависи мость R= от Uпр Uпр 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 R= 0,3 0,233330,16 0,11250,09090,0733 33 09 33 Зависи мость r~ от Uпр Uпр 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 r~ 0,1 0,066660,05 0,04440,0384 67 44 62 Зависи мость R= от Uобр Uобр 50 100 150 200 250 300 R= 3571426666666833333487804277777130434 9 ,7 3 9 8 8 Зависи мость r~ от Uобр Uобр 50 100 150 200 250 r~ 5000002500000555555263157115740 00 0 6 9 7 Зависи мость Cдиф от Uпр Uпр 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,1 Сдиф 0,08 0,12 0,2 0,32 0,44 0,6 Зависимост Сб от Uобр Определение величины TKUпрям TKIобр Определение сопротивления базы rб Приближенное Точное Малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема Библиографический список 1. Диоды и их зарубежные аналоги: Справочник. В 3-х томах. /Хрулев А.К., Черепанов В.П.- Том 1-М.: ИП РадиоСофт, 1998-640с. 2. Справочник по полупроводниковым диодам/ Бородин Б.А., Дроневич В.М., Егорова Р.В. и др.; под ред. И.Ф. Николаевского.—М.: Связь , 1979.– 432 с., ил. 3. Диоды. справочник/ О.П. Григорьев, В.Я. Замятин, Б.В. Кондратьев, С.Л. Пожидаев.—М.: Радио и связь, 1990.—336 с.: ил.– (Массовая радиобиблиотека. Вып. 1158) 4. Полупроводниковые приборы: Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы. Справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др.; Под общ. ред. Н.Н. Горюнова.–М.: Энергоиздат, 1982.– 744 с., ил. 5. Лекции по курсу «Физические Основы МикроЭлектронники»/ Черепанов К.А- под ред. Болтаев А.В. 2000.-50л. Затраты времени на: Информационный поиск-72 часf Расчеты-1час (67 мин.) Оформление- 6 часов (357мин.) -- [1] Зарубежный аналог КД213А - 1N1622 производства Sarkez Tarzian, США -- Rобр rб Сб Ск |